Nantero、3,000万ドルを超えるシリーズEラウンドが終了; 新世代メモリNRAM、世界中の複数の生産ファブに既に組み込み NRAMの利点: 非常に低い消費電力、超高速、高密度、高耐久性

無限のスケーラビリティ: 数テラビットのメモリ実現のため、将来的に5nm未満までスケーリングができるよう設計
実証済みの技術: 長年にわたる量産CMOSファブでの使用に成功
素晴らしい未来の製品: バーチャルスクリーン、次世代エンタープライズ システム、ロールアップ タブレット、Instant On機能付きノートパソコン、3Dビデオ電話、その他大容量の高速メモリを必要とする製品
マサチューセッツ州、ウォバーン – 2015年6月2日 – カーボンナノチューブエレクトロニクスの世界的リーディングカンパニーNanteroは本日、新規投資家およびCharles River Ventures、Draper Fisher Jurvetson、Globespan Capital Partners、Harris & Harris Groupなど従来からの投資家を含む、3,150万ドルのシリーズE投資ラウンドを終えたと発表しました。 大規模な出資が行われた今回のラウンドでは、NanteroのNRAM®と呼ばれる超高速、超高密度新世代メモリ(不揮発性ランダムアクセスメモリ)の開発実現が焦点となりました。このメモリはコンシューマー エレクトロニクス、エンタープライズ エレクトロニクスの両分野であらゆる素晴らしい新機能や新製品を可能にします。
メモリの新時代を示唆するNanteroのNRAMは既に複数の生産ファブで組み込まれ、現在、より多くのストレージ、低電力消費、高速性、信頼性、高い耐久性を必要とする、革新的なエレクトロニクス新製品の設計に取り入れられています。 新規調達した資金は、ストレージクラスのメモリとして、またフラッシュやDRAMに替わる最先端の新世代メモリとしてのNRAMを引き続き推進するために活用されます。
「NanteroのNRAMの登場で、新世代の超高速、高密度不揮発性メモリを待ち続けた日々も終わりを告げます。」Nanteroは言います。「弊社の技術はすでに世界水準の複数の製造施設で展開中で、NRAMに積極的に取り組む主要パートナー企業も十数社を数えます。 私たちは商業化という次の段階が始まることを喜ばしく思っています。NanteroのNRAMが量産に入り、今後数十年間のエレクトロニクス革命の行く末を変革することでしょう。」
新任顧問
NRAMへの業界からの支援が相次ぐなか、Nanteroは本日2名の新しい重要な顧問が加わったことを発表しました。Dr. Stefan LaiはIntel社の元役員で、EPROMトンネル酸化物 (ETOX) フラッシュメモリセルを共同で発明し、同社の相変化メモリ (PCM) チームを率いました。 Lai氏は、シリコンMOSインターフェイスの特性に関する研究およびフラッシュEPROMメモリの開発に対し、1998年にIEEEのフェローとして認められたほか、2008年にはフラッシュメモリへの貢献に対してIEEE Andrew Grove Awardを受賞しました。
「NanteroのNRAMは、理想に近いメモリとなる可能性が最も高い候補として、ユニークな属性を持っています。フラッシュの不揮発性、DRAMのスピードと機能性にコストの低減です。」と、Nanteroの新しい顧問となったStefan Lai氏は言います。 「この会社には技術、専門知識、きめ細やかなカスタマーサポート、そして競争に勝つために必要な幅広い特許ポートフォリオがあります。今回の新しい投資ラウンドは、長期的な成功と、NRAM技術の継続的な進歩を保証する財源を提供することになるでしょう。」
Nanteroの顧問会にもう一人加わるのがDr. Yaw Wen Huで、Inotera Memoriesでエグゼクティブ バイスプレジデントを歴任、現在は役員を務めています。Inotera社ではDRAMの新技術移転とウエハーレベル パッケージング (WLP) の開発を監督しました。 それ以前は、Silicon Storage Technology (SST) のエグゼクティブバイスプレジデント兼最高執行責任者 (COO) を歴任。同社でSuperFlash技術の開発を、チームと協力して新しいメモリセルの概念から製品の大規模な出荷まで担当し、埋め込みフラッシュのアプリケーションのための技術として確立させました。
NanteroのNRAM: メモリの未来
NANDの数百倍の速度の新世代メモリが利用可能になれば、将来は数テラビットのストレージが実現し、電力消費が低下してエレクトロニクスの未来が変わる可能性があります。 NanteroのNRAMは、こうした突破口となる特長をすべて兼ね備えています。 埋め込みメモリ、スタンドアローンメモリの両市場をターゲットとするNanteroは、世界中の大手半導体メーカー、製造施設、エレクトロニクス企業に対し、NRAMのIP(知財)ライセンス供与をすでに行っています。
コンシューマーエレクトロニクス、モバイルコンピューティング、ウェアラブル、モノのインターネット、エンタープライズ用ストレージ、自動車など、幅広い市場をターゲットとするNanteroのNRAMメモリは、他のメモリ技術をしのぐ大きな利点を提供します。 これには次のものが含まれます。
CMOS対応: 新たな機器を必要とせず、標準的なCMOSファブに対応
無限のスケーラビリティ: 将来的に5nm未満までスケーリングができるよう設計
高い耐久性: フラッシュの数桁上のサイクルで動作することが実証済
読み込み、書き込み速度が向上: DRAM同様、NANDの数百倍の速度
高い信頼性: 摂氏85°で1,000年以上、摂氏300°で10年以上メモリを維持
低消費電力: スタンバイモードでは消費電力ゼロ、書き込み時の消費電力は1ビットあたりNANDの160分の1
低コスト: シンプルな構造、3Dのマルチレイヤーとマルチレベル セル (MLC)
NanteroのNRAMは、最先端のナノテクノロジー研究と、人類が知り得る最強の素材の一つと考えられているカーボンナノチューブ技術の革新的な用途を活用しています。 カーボンナノチューブ1本の直径は人間の髪の毛のわずか5万分の1ですが、これらの小さなシリンダーは鉄鋼の50倍の強度とアルミニウムの半分の密度を持ち、現在科学者たちが知る限り、熱伝導率と電気伝導率はどの素材よりも優れています。 Nanteroはナノテクノロジーのパイオニアとして、この素材を活用したCMOSファブでの半導体製品開発に積極的に取り組んだ最初の企業です。 この画期的な業績は現在、弊社が誇る世界有数のカーボンナノチューブ特許ポートフォリオの一部として保護されています。ポートフォリオには175件を超える取得済米国特許と200件を超える申請中の特許が含まれます。
推薦の言葉:
Alan Niebel、Webfeet Research社 創業者兼CEO(最高経営責任者)
「超高速のメモリ技術が利用可能になれば、将来は数テラビットのストレージが実現し、電力消費が低下し、エレクトロニクスの未来が変わる可能性があります。 12年以上NRAMの研究をしたWebFeetは、この2年間でNRAMチップのカーボンナノチューブのコストを10分の1に低減したNanteroに拍手を送ります。これによりNRAMがCMOSに対応するようになり、ライセンシーによる商業的な量産が実現可能なことを証明しました。」
Jim Handy、Objective Analysis社 ディレクター
「新世代のメモリを市場にもたらすためにNanteroが遂げた進歩には感服しました。 高速の不揮発性メモリが貴重な財産であること、そして、Nanteroによるカーボンナノチューブ技術の利用がスケーリングの限界に近付いている凝り固まった技術にとって代わるだろうという確信は疑う余地がありません。」
Greg Wong、Forward Insights社 創業者兼プリンシパルアナリスト
「これは研究所を出てCMOSの量産施設に取り込まれた、数少ない技術の一つです。 高速度および高耐久性というNRAMならではのコンビネーションは、多くのコンシューマーおよびエンタープライズ向けアプリケーションで革新的な製品を生む可能性を秘めています。」
Michael Yang、IHS Technology社 メモリおよびストレージ担当シニアディレクター
「パフォーマンスの障害にぶつかり、さらなるスケーリングができないという、現在のメモリ技術の影響に業界は既に気付き始めています。 NanteroのNRAMはこのギャップを埋めることができ、メーカーはそれにより新しいストレージアーキテクチャを提供し、大容量のストレージを備えたもっと小型で高速かつ革新性の高い製品の設計をすることができます。」
Yann de Charentenay、Yole Développement社 シニア テクノロジー&マーケットアナリスト
「Yole Développementが2015年1月に発表した『新生の不揮発性メモリ技術と市場動向』レポートで、この市場が2014年には6,500万ドル相当の価値があったことを発見しました。 ですが、現在は岐路に立たされています。 従来のDRAMやフラッシュメモリにはスケーラビリティと速度に限界があるという問題を解決するため、STTMRAM、RRAM、NRAMおよび他の技術から適切な新不揮発メモリを選択する、ということを業界リーダーが今から2年以内に行わなければなりません。 このような状況にあるなか、Yole DéveloppementはNanteroが出した最新のNRAMの技術結果を大変喜ばしく思っています。 Nanteroの技術はSTTMRAMのパフォーマンスと、また可能性としてRRAMの低コストも提供できます。 Yole Développementでは、主流のメモリアプリケーションをターゲットに、DRAMやフラッシュにとって代わるであろうこの技術の今後のスケーラビリティに注目しています。」
Bruce Sachs、CRV社 ジェネラルパートナー
「NRAMがメモリ業界で次の大々的発明になる可能性が、この新たな投資ラウンドで証明されました。 Nanteroは、コンシューマーエレクトロニクス、エンタープライズコンピュータ、ストレージの革命で新しい波を推進するため、多くの大手顧客が待ち望んでいた企業です。」
Dr. Yaw Wen Hu、Nantero社 顧問
「Nanteroは、優れたパフォーマンスの新世代メモリデバイスを開発したことだけでなく、NRAMを新たな装置を必要とせずに既存のCMOSファブで使用できるようにした点で突破口を開きました。 これはたいへんな功績で、コンシューマー用および法人用アプリケーションの両方において、素晴らしい新機能や新製品への道を切り開くでしょう。」

参考:
Nantero企業ビデオ
画像ライブラリ: 製品と技術 写真
Nanteroウェブサイト
Nantero会社情報
カーボンナノチューブ エレクトロニクス分野における世界的なリーディングカンパニーとして、Nanteroは、コンシューマーエレクトロニクス、エンタープライズエレクトロニクスの両面であらゆる素晴らしい新機能と製品を可能にする、NRAM™(不揮発性ランダムアクセスメモリ)と呼ばれる新世代のメモリを開発しました。 この超高速、超高密度の新しいメモリはシングルチップでDRAMおよびフラッシュの両方にとって代わることや、ストレージクラスメモリとして新しい用途を可能にすることができます。また、エレクトロニクス革命の新しい波を推進するために必要な低電力消費、高速性、信頼性、耐久性も実現しています。 Nanteroのウェブサイトwww.nantero.com、またはNanteroのTwitter @nanteroをご覧ください。
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お問い合わせ:
Kelly Karr
Nanteroパブリックリレーションズ
408-718-9350
Kelly@zh.nantero.com
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