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Eight Strategic Investors Including Dell and Cisco Investments Signal Nantero’s Strong Support    WOBURN, MA – April 5, 2018 – Nantero Inc., the nanotechnology company developing nextgeneration memory using carbon nanotubes, today announced that it has expanded product development with a wide range of new and existing customers.  Leveraging NRAM’s unique combination of DRAM-like speed,…

~ 富士通セミコンダクター、三重富士通セミコンダクターが超高速、超高密度不揮発性メモリを 米国Nanteroと共同開発 ~ 富士通セミコンダクター株式会社（以下、富士通セミコンダクター注1）および三重富士通セミコンダクター株式会社（以下、三重富士通セミコンダクター注2）は、米国Nantero Inc.（以下、Nantero注3）のカーボンナノチューブ（Carbon Nanotube）を利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受けるとともに、55nmテクノロジーでの商品化に向けて3社で共同開発することに合意しました。 3社は、組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性／書き換えスピードの実現と、将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し、不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めています。富士通セミコンダクターは、2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化し、その後、単体NRAM製品にラインナップを広げていきます。また、ウェハーファウンドリ会社（製造受託会社）である三重富士通セミコンダクターは、ファウンドリ顧客向けにNRAMベースのテクノロジーを提供する予定です。 富士通セミコンダクター　システムメモリ事業部長　松宮正人のコメント 　Nantero社が持つカーボンナノチューブを利用した不揮発性メモリは、従来の技術をはるかに凌駕します。90年代後半から不揮発性メモリの１つであるFRAMの設計・製造を手掛けてきた当社は、FRAMの設計から製造を一貫で実現している数少ないメーカーの１つです。この豊富なFRAMの設計・量産化の経験とスキルが、NRAMの開発・量産化に生かされます。Nantero社が提供するテクノロジーと当社の設計・量産化技術の融合は、長年当社がお客様から求められている不揮発性メモリに対する低消費電力性、高速書き込み性、高書き換え耐性、大容量化の要求を満足させることでしょう。 Nantero社とは互いに尊重し合えるパートナーになると確信しており、両社で革新的な高性能メモリを開発できると期待しています。当社はメモリソリューションのさらなる充実を図り、お客様のご要求に応えていくことをお約束します。 三重富士通セミコンダクター　取締役執行役員常務　千々岩雅弘のコメント カーボンナノチューブを使ったNantero社のNRAM技術は、大容量かつランダムアクセスが可能な不揮発性メモリであり、当社が力を入れている組み込み型不揮発性メモリのラインナップをさらに充実させるものと期待しています。当社は、今回のライセンス供与およびNantero社との商品化に向けた共同開発を通じ、富士通セミコンダクターとともに、新たな不揮発性ランダムアクセスメモリ・ソリューションをお客様に提供できると確信しています。 Nantero　共同設立者、会長兼CEO　Greg Schmergelのコメント 　富士通セミコンダクターおよび三重富士通セミコンダクターは、FRAMのような新メモリの量産において世界で最も成功した企業の一つであり、当社にとって理想的な事業パートナーです。当社は、過去数年間のNRAM技術の評価を通じて、両社と強固な関係を築いてきました。NRAMという画期的なメモリ製品に両者と携われることは大変光栄です。 「不揮発性」「高速」「高密度」を兼ね備えたNRAMは、従来のメモリ技術の延長線上の限界を超えて、その能力を絶え間なく進化させることができる比類のない技術です。10年以上に渡る研究開発を経て、カーボンナノチューブをベースにした当社のNRAM技術は量産化が可能な段階となりました。当社は、ワールドクラスの企業である富士通セミコンダクターと三重富士通セミコンダクターとともに多様な市場に向けてNRAMの製品化に取り組んでいきます。 【注釈】 注1　富士通セミコンダクター株式会社： 本社　神奈川県横浜市、代表取締役社長　曲渕 景昌 注2　三重富士通セミコンダクター株式会社： 　　　本社　神奈川県横浜市、代表取締役社長　河野 通有 注3　Nantero Inc. 　　　本社　米国マサチューセッツ州、共同創業者、会長兼CEO　Greg Schmergel 【関連Webサイト】 ・富士通セミコンダクターサイト ：https://www.fujitsu.com/jp/fsl/ ・三重富士通セミコンダクターサイト ：https://www.fujitsu.com/jp/mifs/ ・Nantero,　Inc. ：http://ja.nantero.com/ 　以 上 【本件に関する問い合わせ】 富士通セミコンダクター株式会社 システムメモリ事業部 マーケティング部 電話: 045-755-7035（直通） お問合せフォーム 三重富士通セミコンダクター株式会社 ビジネス開発統括部 マーケティング部 電話：045-755-7158（直通） お問い合わせフォーム Nantero,　Inc. Kelly Karr Nantero Public Relations…

TSMC、Intel、Hitachi、Sony、Apple、その他の企業の元シニアエクゼクティブから成り、拡大を続けるNanteroの世界レベルのアドバイザリーボード（顧問会）にDollerが加わった。 NRAMメモリアレイのパフォーマンスおよび信頼性、竹内健教授（中央大学）の技術論文で検証 – 来週日本で開催のSSDM 2015 において   マサチューセッツ州、ウォバーン – 2015年9月24日 – カーボンナノチューブエレクトロニクスの世界的リーディングカンパニーNantero社は本日、著名な業界のエグゼクティブEd Dollerをアドバイザリーボード（顧問会）に迎えたと発表した。 EdはMicron社の元バイスプレジデント兼NANDソリューションズグループ チーフストラテジストで、同社でバイスプレジデント兼エンタープライズストレージ担当ジェネラルマネージャー、バイスプレジデント兼チーフメモリシステムズ アーキテクトも務めた。 Nanteroはまた、同社の新世代超高速、超高密度メモリ (NRAM™) が中央大学により独立した形で検証されたことも発表した。結果は優れたパフォーマンスと高信頼性を示し、成果は2015年 国際固体素子材料 (SSDM) コンファレンスの場で技術論文として発表される。 「Ed Dollerの業界での幅広い経験と、メモリデバイスレベルおよびシステムレベルでの理解の深さは、弊社のアドバイザリーボードに貴重かつ新しい次元をもたらしてくれます」とNantero共同創業者兼CEO、社長のGreg Schmergelが語った。 「Nanteroの勢いは引き続き増し、私たちはNRAMを市場化するため、顧客企業数社とともに取り組んでいきます。弊社メモリのパフォーマンスにつき、竹内教授のようなトップエキスパートによる独立した立場での検証が行われたのを見て大変嬉しく思っています。」 Mr. Dollerについて Dollerは、2008年の創立以来バイスプレジデント兼最高技術責任者 (COO) を務めていたNumonyxが買収されたことを機に、2010年にMicronに加わる。 Numonyx以前は、Intelのフラッシュメモリグループに15年間勤務、2004年にはCTO（最高技術責任者）に任命されている。 Intel入社前は、ニューヨーク州イーストフィッシュキルのIBMで9年間を過ごし、 高度半導体メモリ分野のいくつかの主要なポストを経験した。 数件の特許を所有し、IEEE（米国電気電子学会）フローティングゲート基準の共著者であるほか、メモリ関連の会議では頻繁に基調講演を行っている。 「Nanteroの次世代NRAMメモリには、様々なアプリケーションやエンドユーザーにとって非常に魅力的なバリュープロポジション（顧客価値）があります。DRAMの高速性を持つ不揮発性メモリによってシステムアーキテクチャをどう再考することができるか検討する意思のある顧客にとっては、特にそうです」とEd Dollerは言う。 「Nanteroのアドバイザリーボードに加わり、複数の業界リーダーとパートナーシップを結んでいる世界レベルのチームの一員になることができ、嬉しく思っています。」 SSDMの論文について 9月30日（水）のSSDMコンファレンスにおいて、竹内健教授（中央大学）ら共著者がNanteroのNRAM を取り上げた論文「カーボンナノチューブ メモリセルアレイプログラムの特性調査」を発表。竹内氏は中央大学理工学部電気電子情報通信工学科の教授で、東芝のNANDフラッシュメモリの回路設計を14年間にわたって率いた経験を持つ。 0.7µm 16Mbit、0.4µm 64Mbit、0.25µm 256Mbit、 0.16um 1Gbit、0.13µm 2Gbit、56nm 8Gbit NANDフラッシュメモリ等、世界最高の密度をもつ6種類のNANDフラッシュメモリ製品を設計した。 210件の特許を世界中で保有し、うち109件は米国 特許である。 1997年のVLSIシンポジウムで発表された「マルチページセルアーキテクチャ」の発明で、2001年、世界初のマルチレベルセルNANDフラッシュメモリの商業化に成功した。 Nantero会社情報…

世界レベルの顧問会　Nantero成長の可能性を強調 SpansionおよびAMDの元役員Lee ClevelandがNantero社半導体設計チームを指揮、数ギガバイト、高速DDR4対応、不揮発性スタンドアローンメモリ等の画期的な新製品に取り組む   マサチューセッツ州、ウォバーン – 2015年8月4日 – カーボンナノチューブ エレクトロニクスの世界的リーディングカンパニーNantero社は本日、業界経験の豊富なDr. Shang-Yi Chiangをアドバイザリーボード（顧問会）に迎えたと発表した。 Dr. Chiangは、2013年10月にTSMC（台湾集積回路製造）を引退するまで、同社のR&D担当のシニアバイスプレジデントおよびエグゼクティブバイスプレジデント兼共同最高執行責任者 (Co-COO) を務めた。 Nanteroはまた、SpansionおよびAMDでフラッシュの設計を担当したLee Cleveland氏を、同社の半導体設計チーム全体を指揮する設計担当バイスプレジデントに任命したと発表した。 「Nanteroは、社内または顧問としてのポジションに就く、業界で最も優秀かつ革新的な人材を引き続き招聘していきます。」と共同創業者兼CEO、社長のGreg Schmergelは語る。 「専門知識がさらに加わることは、弊社がスタンドアローン、埋め込み式双方でDRAMの速度、不揮発性、超高密度というユニークな特性を備えた新世代メモリを生み出すうえで非常に重要です。」 Dr. Chiangについて 半導体業界で40年にわたる経験を有するDr. Chiangは、CMOS、NMOS、バイポーラ、DMOS、SOS、SOI、GaAs レーザー、LED、電子線リソグラフィー、シリコン太陽電池の研究開発に貢献。 TSMCでは、Dr. Chiang の率いるR&Dチームが0.25ミクロン、0.18ミクロン、0.15ミクロン、0.13ミクロン、 90nm、65nm、40nm、28nmの各世代で半導体技術における画期的な業績を上げ、引き続き20nm、16nm FinFET、10nm世代まで研究を広げた。 Dr. Chiang の指揮のもとTMSCは、R&D組織の規模が148名から4,000名に拡大するのに合わせ、半導体技術のリーディングカンパニーへと成長。この間、年間R&D費は8000万ドルから16億ドルに増大した。 Dr. Chiangは、1968年に国立台湾大学で理学士、1970年にプリンストン大学で理学修士、1974年にスタンフォード大学で博士の学位をそれぞれ取得。専攻はすべて電気工学。 学位取得後は、ITT Corporation、Texas Instruments、Hewlett-Packardに勤務。 2001年には、日本の小泉純一郎首相（当時）、李明博ソウル市長（当時）とともにビジネスウィーク誌の”Stars of Asia（アジアの星）” 50名の一人に選ばれた。 Dr. Chiangはまた、米国電気電子学会 (IEEE) のフェローでもある。 「Nanteroの次世代NRAMメモリは、スタンドアローン、埋め込み型の両方で革新的な製品となる可能性があります。」とDr. Chiangは語っている。 「会社の成長と業界のリーダーシップが次の段階に入り、Nanteroが経験豊かで志の高いメンバーを集めたチームで働けるのを嬉しく思います。」 Lee Clevelandについて Nanteroの新しい設計担当バイスプレジデントとして、Lee Clevelandは、高密度DRAMおよびフラッシュの設計の両方で経験のある世界レベルの設計チームをすでに募集した。 このチームは現在、数ギガバイトの高速DDR4対応の不揮発性、スタンドアローンメモリを含む、…

無限のスケーラビリティ: 数テラビットのメモリ実現のため、将来的に5nm未満までスケーリングができるよう設計 実証済みの技術: 長年にわたる量産CMOSファブでの使用に成功 素晴らしい未来の製品: バーチャルスクリーン、次世代エンタープライズ システム、ロールアップ タブレット、Instant On機能付きノートパソコン、3Dビデオ電話、その他大容量の高速メモリを必要とする製品 マサチューセッツ州、ウォバーン – 2015年6月2日 – カーボンナノチューブエレクトロニクスの世界的リーディングカンパニーNanteroは本日、新規投資家およびCharles River Ventures、Draper Fisher Jurvetson、Globespan Capital Partners、Harris & Harris Groupなど従来からの投資家を含む、3,150万ドルのシリーズE投資ラウンドを終えたと発表しました。 大規模な出資が行われた今回のラウンドでは、NanteroのNRAM®と呼ばれる超高速、超高密度新世代メモリ（不揮発性ランダムアクセスメモリ）の開発実現が焦点となりました。このメモリはコンシューマー エレクトロニクス、エンタープライズ エレクトロニクスの両分野であらゆる素晴らしい新機能や新製品を可能にします。 メモリの新時代を示唆するNanteroのNRAMは既に複数の生産ファブで組み込まれ、現在、より多くのストレージ、低電力消費、高速性、信頼性、高い耐久性を必要とする、革新的なエレクトロニクス新製品の設計に取り入れられています。 新規調達した資金は、ストレージクラスのメモリとして、またフラッシュやDRAMに替わる最先端の新世代メモリとしてのNRAMを引き続き推進するために活用されます。 「NanteroのNRAMの登場で、新世代の超高速、高密度不揮発性メモリを待ち続けた日々も終わりを告げます。」Nanteroは言います。「弊社の技術はすでに世界水準の複数の製造施設で展開中で、NRAMに積極的に取り組む主要パートナー企業も十数社を数えます。 私たちは商業化という次の段階が始まることを喜ばしく思っています。NanteroのNRAMが量産に入り、今後数十年間のエレクトロニクス革命の行く末を変革することでしょう。」 新任顧問 NRAMへの業界からの支援が相次ぐなか、Nanteroは本日2名の新しい重要な顧問が加わったことを発表しました。Dr. Stefan LaiはIntel社の元役員で、EPROMトンネル酸化物 (ETOX) フラッシュメモリセルを共同で発明し、同社の相変化メモリ (PCM) チームを率いました。 Lai氏は、シリコンMOSインターフェイスの特性に関する研究およびフラッシュEPROMメモリの開発に対し、1998年にIEEEのフェローとして認められたほか、2008年にはフラッシュメモリへの貢献に対してIEEE Andrew Grove Awardを受賞しました。 「NanteroのNRAMは、理想に近いメモリとなる可能性が最も高い候補として、ユニークな属性を持っています。フラッシュの不揮発性、DRAMのスピードと機能性にコストの低減です。」と、Nanteroの新しい顧問となったStefan Lai氏は言います。 「この会社には技術、専門知識、きめ細やかなカスタマーサポート、そして競争に勝つために必要な幅広い特許ポートフォリオがあります。今回の新しい投資ラウンドは、長期的な成功と、NRAM技術の継続的な進歩を保証する財源を提供することになるでしょう。」 Nanteroの顧問会にもう一人加わるのがDr. Yaw Wen Huで、Inotera Memoriesでエグゼクティブ バイスプレジデントを歴任、現在は役員を務めています。Inotera社ではDRAMの新技術移転とウエハーレベル パッケージング (WLP) の開発を監督しました。 それ以前は、Silicon…