Nantero、元TSMC役員 Dr. Shang-Yi Chiangを顧問に迎える – 経営チームを強化

  • 世界レベルの顧問会　Nantero成長の可能性を強調
  • SpansionおよびAMDの元役員Lee ClevelandがNantero社半導体設計チームを指揮、数ギガバイト、高速DDR4対応、不揮発性スタンドアローンメモリ等の画期的な新製品に取り組む

 
マサチューセッツ州、ウォバーン – 2015年8月4日 – カーボンナノチューブ エレクトロニクスの世界的リーディングカンパニーNantero社は本日、業界経験の豊富なDr. Shang-Yi Chiangをアドバイザリーボード（顧問会）に迎えたと発表した。 Dr. Chiangは、2013年10月にTSMC（台湾集積回路製造）を引退するまで、同社のR&D担当のシニアバイスプレジデントおよびエグゼクティブバイスプレジデント兼共同最高執行責任者 (Co-COO) を務めた。 Nanteroはまた、SpansionおよびAMDでフラッシュの設計を担当したLee Cleveland氏を、同社の半導体設計チーム全体を指揮する設計担当バイスプレジデントに任命したと発表した。

「Nanteroは、社内または顧問としてのポジションに就く、業界で最も優秀かつ革新的な人材を引き続き招聘していきます。」と共同創業者兼CEO、社長のGreg Schmergelは語る。 「専門知識がさらに加わることは、弊社がスタンドアローン、埋め込み式双方でDRAMの速度、不揮発性、超高密度というユニークな特性を備えた新世代メモリを生み出すうえで非常に重要です。」

Dr. Chiangについて

半導体業界で40年にわたる経験を有するDr. Chiangは、CMOS、NMOS、バイポーラ、DMOS、SOS、SOI、GaAs レーザー、LED、電子線リソグラフィー、シリコン太陽電池の研究開発に貢献。 TSMCでは、Dr. Chiang の率いるR&Dチームが0.25ミクロン、0.18ミクロン、0.15ミクロン、0.13ミクロン、 90nm、65nm、40nm、28nmの各世代で半導体技術における画期的な業績を上げ、引き続き20nm、16nm FinFET、10nm世代まで研究を広げた。 Dr. Chiang の指揮のもとTMSCは、R&D組織の規模が148名から4,000名に拡大するのに合わせ、半導体技術のリーディングカンパニーへと成長。この間、年間R&D費は8000万ドルから16億ドルに増大した。

Dr. Chiangは、1968年に国立台湾大学で理学士、1970年にプリンストン大学で理学修士、1974年にスタンフォード大学で博士の学位をそれぞれ取得。専攻はすべて電気工学。 学位取得後は、ITT Corporation、Texas Instruments、Hewlett-Packardに勤務。 2001年には、日本の小泉純一郎首相（当時）、李明博ソウル市長（当時）とともにビジネスウィーク誌の”Stars of Asia（アジアの星）” 50名の一人に選ばれた。 Dr. Chiangはまた、米国電気電子学会 (IEEE) のフェローでもある。

「Nanteroの次世代NRAMメモリは、スタンドアローン、埋め込み型の両方で革新的な製品となる可能性があります。」とDr. Chiangは語っている。 「会社の成長と業界のリーダーシップが次の段階に入り、Nanteroが経験豊かで志の高いメンバーを集めたチームで働けるのを嬉しく思います。」

Lee Clevelandについて

Nanteroの新しい設計担当バイスプレジデントとして、Lee Clevelandは、高密度DRAMおよびフラッシュの設計の両方で経験のある世界レベルの設計チームをすでに募集した。 このチームは現在、数ギガバイトの高速DDR4対応の不揮発性、スタンドアローンメモリを含む、

素晴らしい新製品の設計に取り組んでいる。 Nanteroに加わる前は、SpansionおよびAMDでフラッシュの設計に携わり、複数の世代のシッピングメモリ製品を担当していた。 また、Sipex and Exarでエンジニアリング担当シニア バイスプレジデント、さらにKilopassでエンジニアリング担当バイスプレジデント兼COO（最高執行責任者）を務めた。 カリフォルニア大学バークレー校で電気工学の学位を取得している。

参考：

Nantero役員会へのリンク

Nanteroメンバー追加後の顧問会および取締役会へのリンク

Nantero企業ビデオ

Nantero会社情報

カーボンナノチューブ エレクトロニクス分野における世界的なリーディングカンパニーとして、Nanteroは、コンシューマーエレクトロニクス、エンタープライズエレクトロニクスの両面であらゆる素晴らしい新機能と製品を可能にする、NRAM™（不揮発性ランダムアクセスメモリ）と呼ばれる新世代のメモリを開発した。 この超高速、超高密度の新しいメモリはシングルチップでDRAMおよびフラッシュの両方にとって代わることや、ストレージクラスメモリとして新しい用途を可能にすることができます。また、エレクトロニクス革命の新しい波を推進するために必要な低電力消費、高速性、信頼性、耐久性も実現しています。 Nanteroのウェブサイト www.nantero.com、また はTwitter @nanteroをご覧ください。

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お問い合わせ：
Kelly Karr
Nanteroパブリックリレーションズ
408-718-9350

Kelly@nantero.com

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