無限のスケーラビリティ: 数テラビットのメモリ実現のため、将来的に5nm未満までスケーリングができるよう設計 実証済みの技術: 長年にわたる量産CMOSファブでの使用に成功 素晴らしい未来の製品: バーチャルスクリーン、次世代エンタープライズ システム、ロールアップ タブレット、Instant On機能付きノートパソコン、3Dビデオ電話、その他大容量の高速メモリを必要とする製品 マサチューセッツ州、ウォバーン – 2015年6月2日 – カーボンナノチューブエレクトロニクスの世界的リーディングカンパニーNanteroは本日、新規投資家およびCharles River Ventures、Draper Fisher Jurvetson、Globespan Capital Partners、Harris & Harris Groupなど従来からの投資家を含む、3,150万ドルのシリーズE投資ラウンドを終えたと発表しました。 大規模な出資が行われた今回のラウンドでは、NanteroのNRAM®と呼ばれる超高速、超高密度新世代メモリ（不揮発性ランダムアクセスメモリ）の開発実現が焦点となりました。このメモリはコンシューマー エレクトロニクス、エンタープライズ エレクトロニクスの両分野であらゆる素晴らしい新機能や新製品を可能にします。 メモリの新時代を示唆するNanteroのNRAMは既に複数の生産ファブで組み込まれ、現在、より多くのストレージ、低電力消費、高速性、信頼性、高い耐久性を必要とする、革新的なエレクトロニクス新製品の設計に取り入れられています。 新規調達した資金は、ストレージクラスのメモリとして、またフラッシュやDRAMに替わる最先端の新世代メモリとしてのNRAMを引き続き推進するために活用されます。 「NanteroのNRAMの登場で、新世代の超高速、高密度不揮発性メモリを待ち続けた日々も終わりを告げます。」Nanteroは言います。「弊社の技術はすでに世界水準の複数の製造施設で展開中で、NRAMに積極的に取り組む主要パートナー企業も十数社を数えます。 私たちは商業化という次の段階が始まることを喜ばしく思っています。NanteroのNRAMが量産に入り、今後数十年間のエレクトロニクス革命の行く末を変革することでしょう。」 新任顧問 NRAMへの業界からの支援が相次ぐなか、Nanteroは本日2名の新しい重要な顧問が加わったことを発表しました。Dr. Stefan LaiはIntel社の元役員で、EPROMトンネル酸化物 (ETOX) フラッシュメモリセルを共同で発明し、同社の相変化メモリ (PCM) チームを率いました。 Lai氏は、シリコンMOSインターフェイスの特性に関する研究およびフラッシュEPROMメモリの開発に対し、1998年にIEEEのフェローとして認められたほか、2008年にはフラッシュメモリへの貢献に対してIEEE Andrew Grove Awardを受賞しました。 「NanteroのNRAMは、理想に近いメモリとなる可能性が最も高い候補として、ユニークな属性を持っています。フラッシュの不揮発性、DRAMのスピードと機能性にコストの低減です。」と、Nanteroの新しい顧問となったStefan Lai氏は言います。 「この会社には技術、専門知識、きめ細やかなカスタマーサポート、そして競争に勝つために必要な幅広い特許ポートフォリオがあります。今回の新しい投資ラウンドは、長期的な成功と、NRAM技術の継続的な進歩を保証する財源を提供することになるでしょう。」 Nanteroの顧問会にもう一人加わるのがDr. Yaw Wen Huで、Inotera Memoriesでエグゼクティブ バイスプレジデントを歴任、現在は役員を務めています。Inotera社ではDRAMの新技術移転とウエハーレベル パッケージング (WLP) の開発を監督しました。 それ以前は、Silicon…
