Nantero、元Micron役員のEd Dollerを顧問に迎える – SSDMカンファレンスでNRAMが取り上げられる

  • TSMC、Intel、Hitachi、Sony、Apple、その他の企業の元シニアエクゼクティブから成り、拡大を続けるNanteroの世界レベルのアドバイザリーボード(顧問会)にDollerが加わった。
  • NRAMメモリアレイのパフォーマンスおよび信頼性、竹内健教授(中央大学)の技術論文で検証 – 来週日本で開催のSSDM 2015 において

 

マサチューセッツ州、ウォバーン – 2015年9月24日 – カーボンナノチューブエレクトロニクスの世界的リーディングカンパニーNantero社は本日、著名な業界のエグゼクティブEd Dollerをアドバイザリーボード(顧問会)に迎えたと発表した。 EdはMicron社の元バイスプレジデント兼NANDソリューションズグループ チーフストラテジストで、同社でバイスプレジデント兼エンタープライズストレージ担当ジェネラルマネージャー、バイスプレジデント兼チーフメモリシステムズ アーキテクトも務めた。 Nanteroはまた、同社の新世代超高速、超高密度メモリ (NRAM™) が中央大学により独立した形で検証されたことも発表した。結果は優れたパフォーマンスと高信頼性を示し、成果は2015年 国際固体素子材料 (SSDM) コンファレンスの場で技術論文として発表される。

「Ed Dollerの業界での幅広い経験と、メモリデバイスレベルおよびシステムレベルでの理解の深さは、弊社のアドバイザリーボードに貴重かつ新しい次元をもたらしてくれます」とNantero共同創業者兼CEO、社長のGreg Schmergelが語った。 「Nanteroの勢いは引き続き増し、私たちはNRAMを市場化するため、顧客企業数社とともに取り組んでいきます。弊社メモリのパフォーマンスにつき、竹内教授のようなトップエキスパートによる独立した立場での検証が行われたのを見て大変嬉しく思っています。」

Mr. Dollerについて

Dollerは、2008年の創立以来バイスプレジデント兼最高技術責任者 (COO) を務めていたNumonyxが買収されたことを機に、2010年にMicronに加わる。 Numonyx以前は、Intelのフラッシュメモリグループに15年間勤務、2004年にはCTO(最高技術責任者)に任命されている。 Intel入社前は、ニューヨーク州イーストフィッシュキルのIBMで9年間を過ごし、 高度半導体メモリ分野のいくつかの主要なポストを経験した。 数件の特許を所有し、IEEE(米国電気電子学会)フローティングゲート基準の共著者であるほか、メモリ関連の会議では頻繁に基調講演を行っている。

「Nanteroの次世代NRAMメモリには、様々なアプリケーションやエンドユーザーにとって非常に魅力的なバリュープロポジション(顧客価値)があります。DRAMの高速性を持つ不揮発性メモリによってシステムアーキテクチャをどう再考することができるか検討する意思のある顧客にとっては、特にそうです」とEd Dollerは言う。 「Nanteroのアドバイザリーボードに加わり、複数の業界リーダーとパートナーシップを結んでいる世界レベルのチームの一員になることができ、嬉しく思っています。」

SSDMの論文について

9月30日(水)のSSDMコンファレンスにおいて、竹内健教授(中央大学)ら共著者がNanteroのNRAM を取り上げた論文「カーボンナノチューブ メモリセルアレイプログラムの特性調査」を発表。竹内氏は中央大学理工学部電気電子情報通信工学科の教授で、東芝のNANDフラッシュメモリの回路設計を14年間にわたって率いた経験を持つ。 0.7µm 16Mbit、0.4µm 64Mbit、0.25µm 256Mbit、 0.16um 1Gbit、0.13µm 2Gbit、56nm 8Gbit NANDフラッシュメモリ等、世界最高の密度をもつ6種類のNANDフラッシュメモリ製品を設計した。 210件の特許を世界中で保有し、うち109件は米国 特許である。 1997年のVLSIシンポジウムで発表された「マルチページセルアーキテクチャ」の発明で、2001年、世界初のマルチレベルセルNANDフラッシュメモリの商業化に成功した。

Nantero会社情報

カーボンナノチューブ エレクトロニクス分野における世界的なリーディングカンパニーとして、Nanteroは、コンシューマーエレクトロニクス、エンタープライズエレクトロニクスの両面であらゆる素晴らしい新機能と製品を可能にする、NRAM™(不揮発性ランダムアクセスメモリ)と呼ばれる新世代のメモリを開発。 この超高速、超高密度の新しいメモリはシングルチップでDRAMおよびフラッシュの両方にとって代わることや、ストレージクラスメモリとして新しい用途を可能にすることができます。また、エレクトロニクス革命の新しい波を推進するために必要な低電力消費、高速性、信頼性、耐久性も実現しています。 Nanteroのウェブサイトwww.nantero.com、またはTwitter @nanteroをご覧ください。

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Kelly Karr
Nanteroパブリックリレーションズ
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